[发明专利]一种半导体换能桥及其制备方法在审
| 申请号： | 202310078880.3 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116086259A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 马文力;李浩;杨梦凡 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | F42C19/08 | 分类号： | F42C19/08;F42C19/12;F42B3/13;F42B3/195 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 罗超 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件技术领域内的一种半导体换能桥及其制备方法。该半导体换能桥包括：绝缘型衬底；掺杂层，设置于绝缘型衬底衬底上方，掺杂层包括P型轻掺杂区、P型重掺杂区、N型重掺杂区，P型重掺杂区设置于P型轻掺杂区两侧，N型重掺杂区设置于P型重掺杂区两侧；薄氧化层，设置于掺杂层上方；氮化硅层，设置于薄氧化层上方；金属压焊点，设置于氮化硅层上方，金属压焊点下部与N型重掺杂层接触；金属焊接层，设置于绝缘型衬底下方。该半导体换能桥的P型耗尽型器件可向外部提供更高的能量且反向漏电流低、工作寿命长；且其P型重掺杂区位于P型轻掺杂区两侧，从而提高了封装工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 换能桥 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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