[发明专利]一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法在审
| 申请号： | 202310105232.2 | 申请日： | 2023-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN116153838A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 倪立华;吕剑;谭秀文;张召 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Taiko晶圆化镀前的背面贴膜方法，包括将背面贴膜完成的晶圆固定在基座上，预切较长一段方形保护膜并将其置于晶圆的Taiko环边缘处；将三段式贴膜辊移动至晶圆的Taiko环边缘处粘贴，三段式贴膜辊包括贴膜辊一、贴膜辊二和贴膜辊三，贴膜辊二的两端分别与贴膜辊一和贴膜辊三活动连接；将基座旋转一周，切除多余的保护膜；开启底部气帘，底部气帘朝向晶圆的侧面，托举未粘贴的保护膜；旋转基座，同时移动三段式贴膜辊，进行Taiko环边缘滚压贴膜；继续移动三段式贴膜辊，进行Taiko环侧面滚压贴膜；关闭底部气帘，将三段式贴膜辊移出。本发明通过采用分段贴膜方法，使得晶圆Taiko环边缘及侧面也粘贴保护膜，降低了化镀过程中晶圆边缘金属镀层剥落的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 taiko 晶圆化镀前 背面 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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