[发明专利]一种等离子体增强原子层沉积制备的电荷俘获型存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310115718.4 | 申请日： | 2023-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN116093148A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李玉香;褚光福;郑帅英;董立伟;李志军;辛倩;张嘉炜;宋爱民 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/792;H10B43/30;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 于兆生 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种等离子体增强原子层沉积制备的电荷俘获型存储器及其制备方法，属于电荷俘获型存储器技术领域。存储器，包括由下自上依次设置的衬底、栅电极、电荷阻挡层、电荷存储层、电荷隧穿层和铟镓锌氧沟道层，铟镓锌氧沟道层上侧间隔分别设置有源电极和漏电极，电荷阻挡层、电荷存储层、电荷隧穿层的材料选用Al |
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| 搜索关键词： | 一种 等离子体 增强 原子 沉积 制备 电荷 俘获 存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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