[发明专利]一种激光加热基座法生长Al2 在审
| 申请号： | 202310124557.5 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN116427017A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B15/14;C30B29/20;C30B29/28 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种激光加热基座法生长Al |
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| 搜索关键词： | 一种 激光 加热 基座 生长 al base sub | ||
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