[发明专利]集成式可配置超高圆偏振消光比光电探测器及制备方法在审
申请号: | 202310150843.9 | 申请日: | 2023-02-22 |
公开(公告)号: | CN116207166A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 周靖;布勇浩;任显松;邓杰;胡伟达;陈效双;陆卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/112;H01L31/18;G02B5/30 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 万慧华 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种集成式可配置超高圆偏振消光比光电探测器及制备方法。该器件包括金属反射层、电介质层、电极层以及二维材料层;电极层包括对称设置的分别与源极和漏极集成的互为相反手性的Z型金属光学天线阵列;该器件工作在零偏压状态,光响应来自于源、漏电极与二维材料构成的肖特基结诱导的光伏效应、热电子注入、光热电效应等;通过移动入射光斑配置源、漏电极处两组光学天线阵列接收入射光的强度比,可以在任一特定旋向的旋光照射下,使源、漏极产生大小相等、方向相反的光电流,从而使净输出光电流为零,且噪声下降1到2个量级;而在另一旋向的旋光照射下,稳定输出光电流。本发明在一定的波长范围内都具有超高的圆偏振光分辨能力。 | ||
搜索关键词: | 集成 配置 超高 偏振 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的