[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202310206900.0 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116072724B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 吴毅锋;曾凡明 | 申请（专利权）人： | 珠海镓未来科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 任文生 |
| 地址： | 519031 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法。半导体功率器件包括由下而上依次叠设的背电极、衬底层、绝缘缓冲层、沟道层、势垒层、介质层和钝化层，将传统的单一导电衬底层替代为包含导电衬底区和绝缘衬底区的组合衬底层，将绝缘缓冲层划为三个区域：位于导电衬底区上方的控制区、在漏极正下方和绝缘衬底区上方的高压绝缘区，以及控制区与高压绝缘区之间的电子漂移区。本发明提供的半导体功率器件制备方法用于制备本发明提供的半导体功率器件。本发明提供的半导体功率器件及其制备方法具有改善半导体功率器件的动态电阻特性、提高耐压能力、提高应用耐压和减少寄生电容的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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