[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 202310286381.3 | 申请日: | 2023-03-22 |
公开(公告)号: | CN116207167A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 季雯娴;柳伟;张倬涵;胡匀匀;陈达明 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法,包括:基底;第一发射极,覆盖于基底的背面在第一掺杂区的部分表面;第一介电层,覆盖于基底的背面在第二掺杂区的表面和在第一掺杂区的未被第一发射极覆盖的表面,且第一介电层的边缘和与之相邻的第一发射极的边缘相接触;第二发射极,覆盖于第一介电层在第二掺杂区的背离基底一侧的表面;第一电极,设置于第一发射极背离基底一侧,且与第一发射极相接触;第二电极,设置于第二发射极背离第一介电层一侧,且与第二发射极相接触。本发明可以提高基底表面的钝化效果,从而可以提高电池光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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