[发明专利]背接触太阳能电池及其制备方法

摘要

本申请提供一种背接触太阳能电池和制备方法。该背接触太阳能电池包括：硅衬底，具有相对的正面和背面，且为第一掺杂类型；以及第一发射极和第二发射极，第一发射极与第二发射极沿第一方向相邻设置于硅衬底的背面，所述第一发射极为第二掺杂类型，第二发射极为第一掺杂类型，第一发射极的掺杂浓度为1×1013‑1×1018cm‑3，其中，第一方向与硅衬底的厚度方向相交。本申请的背接触太阳能电池通过控制第一发射极的掺杂浓度以及通过第二钝化层和/或隧穿氧化层调节与第二发射极相邻部分的第一发射极的掺杂浓度实现了隔离第一发射极和第二发射极的技术效果；同时具有较佳的机械载荷能力以及工艺步骤少的技术效果。