[发明专利]一种优化可靠性的MOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310369323.7 | 申请日： | 2023-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN116564993A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张恒源;刘斌凯;徐显修;陈越;龚妮娜 | 申请（专利权）人： | 浙江广芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 孙孟辉 |
| 地址： | 321400 浙江省丽*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种优化可靠性的MOS器件及其制造方法，该方法为：在第一导电类型的衬底上侧淀积外延层，外延层上刻蚀沟槽并在槽内回填单晶硅，后在该沟槽的上表面制作第二导电类型的体区；在沟槽右侧环区制作形成多个N+环；在外延层上侧长场氧化层，并将有源区内的场氧化层刻蚀去除；在有源区内的外延层上侧长栅氧化层，并在栅氧化层和场氧化层的上侧淀积多晶硅层，采用第二导电类型的杂质对多晶硅层进行掺杂，后刻蚀形成多晶栅和多晶硅条；在体区内和终端区的外延层外端内分别制作第一导电类型的源区和截止环区；再淀积介质层，并在介质层上刻蚀出接触孔；在介质层和接触孔内溅射金属层，金属层经刻蚀形成源极金属、栅极金属和截止环金属。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 可靠性 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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