[发明专利]二维碲纳米片中红外激光器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202310414715.0 申请日: 2023-04-18
公开(公告)号: CN116387971A 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 张凯;张君蓉;赵新新;王琰明;夏梦;张兴旺;王俊勇 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01S5/10 分类号: H01S5/10
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 仲崇明
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种二维碲纳米片中红外激光器及其制作方法,二维碲纳米片中红外激光器包括衬底和微盘结构;微盘结构形成于所述衬底上,所述微盘结构的材料选自二维碲纳米片,所述微盘结构在衬底上的投影为圆形,所述微盘结构的半径R满足:mλm=2ΠneffR,其中,λm为碲纳米片微盘谐振腔中稳定存在的共振波长,对应二维碲纳米片本身发光谱的中心波长,neff为二维碲纳米片的有效折射率,m为模式数。本发明的二维碲纳米片中红外激光器及其制作方法,其能够实现二维碲纳米片与以其制成的微盘结构自耦合,进一步实现以二维碲纳米片为增益材料的中红外激光。
搜索关键词: 二维 纳米 片中 红外 激光器 及其 制作方法
【主权项】:
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