[发明专利]超级结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310471136.X | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116525436A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种超级结器件及其制造方法，所述超级结器件包括衬底及设置于衬底上的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层内设置有沟槽栅结构，沟槽栅结构周围的第一导电类型外延层内设置有体区；所述第一导电类型外延层内设置有多个贯穿体区的超级结沟槽，所述超级结沟槽内设置有第二导电类型外延层，以构成所述超级结器件的超级结；所述超级结沟槽的侧壁顶部设置有隔离侧墙，用于隔离所述第二导电类型外延层和所述体区。本发明通过在超级结沟槽的侧壁顶部设置隔离侧墙，实现了第二导电类型外延层和体区之间的电学隔离，简化了超级结器件的结构，优化了超级结器件的工艺制程，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
