[发明专利]一种弥散状等离子体射流生成装置及方法在审

专利信息
申请号: 202310479225.9 申请日: 2023-04-28
公开(公告)号: CN116321657A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 崔伟胜;张若兵;柴立;彭定远 申请(专利权)人: 清华大学深圳国际研究生院
主分类号: H05H1/26 分类号: H05H1/26
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 王震宇
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种弥散状等离子体射流生成装置及方法,该装置包括射流管和射流腔室,射流管的出口位于射流腔室内,射流腔室具有排气结构,射流管的出口喷出的气体在射流腔室封闭放电环境中形成向射流管的出口处流动的回环气流,此种特殊的流场分布改变了射流管出口附近的氦气浓度分布,解决了传统等离子体射流收缩的问题,生成了弥散状等离子体射流。本发明在不改变传统电极结构的前提下,从流场的角度直接改变了等离子体射流的生成形貌,所生成的弥散状等离子体射流为实现等离子体大面积处理提供了条件。
搜索关键词: 一种 弥散 等离子体 射流 生成 装置 方法
【主权项】:
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