[发明专利]一种纳米碳化硅的制备方法在审
| 申请号： | 202310493744.0 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116573646A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王佳丽;万玲;张铭;李如龙;杨启炜 | 申请（专利权）人： | 衢州晶洲科技发展有限公司;浙江大学衢州研究院 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王苗苗 |
| 地址： | 324000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于碳化硅制备技术领域，提供了一种纳米碳化硅的制备方法。本发明的含硅碳前驱体十甲基环五硅氧烷在氢等离子体和氩等离子体的环境下，发生裂解，产生碳化硅气体；碳化硅气体经急冷，能够保证得到小尺寸的纳米碳化硅。同时，十甲基环五硅氧烷中碳元素、硅元素和氧元素的摩尔比为2：1：1，其中的氧元素将一半的碳元素转化为一氧化碳，剩余的碳元素和硅元素的摩尔比正好是1：1，只能生成碳化硅；另外，副产物一氧化碳为气态，不会污染最终的碳化硅产品；即便能生成碳单质和硅单质，但是含量极少，所以保证了最终碳化硅的纯度。实施例的数据表明：所得纳米碳化硅的纯度≥95％，尺寸为20～500nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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