[发明专利]Micro-LED芯片及晶片在审
申请号: | 202310579931.0 | 申请日: | 2023-05-23 |
公开(公告)号: | CN116525746A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 温海键;马兴远;岳大川;蔡世星;李小磊;伍德民 | 申请(专利权)人: | 季华实验室;深圳市奥视微科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64 |
代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 姚金金 |
地址: | 528200 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本公开涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种Micro‑LED芯片及晶片。包括第一衬底层,第一衬底层上依次外延生长有底部氮化镓层、多量子阱层和顶部氮化镓层;芯片上还设置有P电极和N电极,P电极用于连接电源正极,N电极用于连接电源负极第一衬底层上平行设置有多个第一凹槽,并且第一凹槽的表面覆设有导热层;还包括第二衬底层,第二衬底层朝向第一衬底层的一面平行设置有多个第二凹槽,第二凹槽上形成有微流道,微流道以用于降低芯片的热量。通过在第一衬底层上设置第一凹槽,可以增加第一衬底层的散热面积,并且通过设置第二衬底层和形成微流道,可以提高芯片机械强度,进一步地提高芯片的散热性能,最终能够低成本地解决Micro‑LED芯片的散热问题。 | ||
搜索关键词: | micro led 芯片 晶片 | ||
【主权项】:
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