[发明专利]一种发射针、电子源及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310589864.0 申请日: 2023-05-23
公开(公告)号: CN116613043A 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 郝占海;陆梁 申请(专利权)人: 大束科技(北京)有限责任公司
主分类号: H01J1/146 分类号: H01J1/146;H01J1/144;H01J9/04;H01J37/06;H01J37/26
代理公司: 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 代理人: 白晓菲
地址: 102200 北京市昌平区回*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种发射针、电子源及其制备方法,所述发射针包括针本体和固定在所述针本体上的低逸出功材料团块,所述针本体由单晶钨制成,所述低逸出功材料团块由氧化钇制成。所述电子源包括绝缘座、抑制极、接线柱、加热发叉、具有光阑的吸出极和发射针。本发明的有益效果:本发明采用在单晶钨上涂敷氧化钇来降低单晶钨的逸出功;采用本发明烧结氧化钇后的电子源安装到发射电子枪中,加热到1700‑1800K温度的时候,在电子枪的电场作用下,在单晶钨的发射尖端可以稳定的发射电子束,单晶钨的逸出功大大降低。
搜索关键词: 一种 发射 电子 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大束科技(北京)有限责任公司,未经大束科技(北京)有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310589864.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种发射针、电子源及其制备方法-202310589864.0
  • 郝占海;陆梁 - 大束科技(北京)有限责任公司
  • 2023-05-23 - 2023-08-18 - H01J1/146
  • 本发明涉及一种发射针、电子源及其制备方法,所述发射针包括针本体和固定在所述针本体上的低逸出功材料团块,所述针本体由单晶钨制成,所述低逸出功材料团块由氧化钇制成。所述电子源包括绝缘座、抑制极、接线柱、加热发叉、具有光阑的吸出极和发射针。本发明的有益效果:本发明采用在单晶钨上涂敷氧化钇来降低单晶钨的逸出功;采用本发明烧结氧化钇后的电子源安装到发射电子枪中,加热到1700‑1800K温度的时候,在电子枪的电场作用下,在单晶钨的发射尖端可以稳定的发射电子束,单晶钨的逸出功大大降低。
  • 一种热阴极组件、真空虚拟阴极自动测量装置及方法-202111101327.4
  • 李建泉;李书翰;张清和;邢赞扬 - 山东大学
  • 2021-09-18 - 2022-06-21 - H01J1/146
  • 本发明公开了一种热阴极组件、真空虚拟阴极自动测量装置及方法,包括:电子收集极,所述电子收集极为中空的金属结构,所述金属结构上设有一开口,绝缘支架底端穿过所述开口并深入到电子收集极内部;所述绝缘支架底端连接热阴极灯丝;所述热阴极灯丝的两端分别与灯丝导线连接,所述灯丝导线穿过绝缘支架并引出到电子收集极外部;电子收集极的外部包围绝缘层,所述绝缘层和绝缘支架通过绝缘连接固件连接,能够使得电子收集极外部形成封闭的绝缘结构。本发明虚拟阴极由热阴极灯丝产生,而灯丝的加热电流由软件程序控制数据采集卡自动输出,因而该装置中的虚拟阴极是可控可变的。
  • 一种石墨烯覆膜钨基热阴极及其制备方法-202011099956.3
  • 樊鹤红;龚雪;董成坤;孙小菡 - 东南大学
  • 2020-10-15 - 2020-12-22 - H01J1/146
  • 本发明公开了一种石墨烯覆膜钨基热阴极,包括石墨烯层和钨基阴极层,钨基阴极层的上表面覆石墨烯层,钨基阴极层下设置灯丝。制备方法包括以下步骤:(1)制备表面光滑的钨基体;(2)在钨基体上覆石墨烯层;(3)装配阴极热子组件。本发明提出了一种结构简单、制备容易而发射性能优良的金属覆膜钨基热阴极,仿真表明其在表面覆单层石墨烯的情况下表面功函数为1.745eV。
  • 一种用于空间探测仪器的阴极及其制备方法-202010343469.0
  • 李永平;李佳;王玉洁;王馨悦;郑晓亮 - 中国科学院国家空间科学中心
  • 2020-04-27 - 2020-07-24 - H01J1/146
  • 本发明涉及空间探测仪器技术领域,具体地涉及一种用于空间探测仪器的阴极及其制备方法,所述阴极的原材料包括:阴极基金属和氧化物薄膜,其中,氧化物薄膜涂覆在阴极基金属表面,氧化物薄膜的厚度不超过阴极基金属的直径;制备方法,包括以下步骤:1)阴极涂覆;2)阴极加热;3)阴极激活。本发明用于空间探测仪器的的阴极可用于空间电离规、压力计和其它类型的离子源,具有功耗低、可靠性高、体积小、发射能力强等特点。
  • 一种腔体储备式阴极-201810376989.4
  • 刘伟;吴浩;王金淑;周帆;杨韵斐;李俊辉;潘兆柳 - 北京工业大学
  • 2018-04-25 - 2018-10-02 - H01J1/146
  • 一种腔体储备式阴极,属于储备式难熔金属阴极材料领域,主要包括圆柱形空腔筒,筒上方为阴极发射主体机构,下部为加热灯丝。发射主体部分表层为由难熔金属网制备的表层发射基底,金属丝网为单层或者多层,下部为含有钡、锶元素的具有发射活性的铝酸盐、钪酸盐、钨酸盐等发射活性物质(活性盐)。活性物质与表层发射基底之间为多孔钨海绵体,用于固定活性盐。经过充分激活后的该储备式阴极试样,在900℃工作温度下,平均脉冲发射电流密度达到7A/cm2以上,平均发射斜率达到1.4以上。
  • 一种亚微米薄膜钪钨阴极及其制备方法-201410808422.1
  • 王萍;李季;王辉 - 中国电子科技集团公司第十二研究所
  • 2014-12-22 - 2018-02-06 - H01J1/146
  • 本发明公开了一种亚微米薄膜钪钨阴极的制备方法,包括将钨粉压制、烧结,得到阴极基体;将阴极基体浸渍活性物质钡钙铝化合物;将浸渍了活性物质的阴极基体装配到含热子的阴极支持筒中;用直流磁控溅射在阴极基体表面沉积亚微米钪钨薄膜,得到亚微米薄膜钪钨阴极。本发明制得的阴极的电流密度大,工作温度低,工作时间长,制造方法简单、可操作性强、重复性好。
  • 重稀土合金激光泵浦热电子发射阴极-201510053073.1
  • 朱惠冲 - 佛山宁宇科技股份有限公司
  • 2015-01-30 - 2018-01-23 - H01J1/146
  • 本发明公开一种重稀土合金激光泵浦热电子发射阴极,其特征在于,它由掺入有重稀土元素镱的钨基体制成。本发明利用镱的金相晶粒在高温下或温度适宜时,其相态是二阶与三阶晶相迁移变动,其特征正好适合与钨原子结合。在高温升迁时,晶粒相态变异,与钨原子结合时随钨原子收缩,相态熔合为晶体,无须后期再加上一次烧结至理论密度,加工工艺简单。同时,制得的阴极热电子发射性能高,高温轰击的耐受性好,使阴极寿命大幅提升,制造成本大幅降低,从而节约大量资源与成本。
  • 一种低逸出功阴极-201720039318.X
  • 常帅;袁弘渊;黄明柱 - 武汉科技大学
  • 2017-01-05 - 2017-10-03 - H01J1/146
  • 本实用新型涉及电极材料领域,具体涉及一种低逸出功阴极,固定在基底上,包括阴极本体1和固定杆2,所述固定杆2顶端与阴极本体1固定连接,所述阴极本体1由钨构成,所述固定杆2由SiC构成;本实用新型结构简单,其中固定杆具备低逸出功、耐高温和不易形变的特点,具备稳定性,同时钨制成的阴极本体也具备耐高温性,使整个低逸出功阴极结构稳定。
  • 一种低逸出功阴极-201710023699.7
  • 常帅;袁弘渊;黄明柱 - 武汉科技大学
  • 2017-01-05 - 2017-05-31 - H01J1/146
  • 本发明涉及电极材料领域,具体涉及一种低逸出功阴极,固定在基底上,包括阴极本体1和固定杆2,所述固定杆2顶端与阴极本体1固定连接,所述阴极本体1由钨构成,所述固定杆2由SiC构成;本发明结构简单,其中固定杆具备低逸出功、耐高温和不易形变的特点,具备稳定性,同时钨制成的阴极本体也具备耐高温性,使整个低逸出功阴极结构稳定。
  • 一种新型阴极钼筒结构及其制造方法-201610765044.2
  • 王鹏康;孟昭红;周秋君;朱刚;贺兆昌 - 安徽华东光电技术研究所
  • 2016-08-31 - 2016-11-16 - H01J1/146
  • 本发明涉及一种新型阴极钼筒结构及其制造方法,属于电真空器件中阴极制造技术领域。钼筒本体的顶部开设有一台阶孔,钼筒本体的底部开设有一底孔,底孔内开设有等间距排列的圆台孔;本发明实现将钨基体焊接到台阶孔上,将热子及绝缘粉料烧结到等间距排列的圆台孔中,使得热子组件和阴极发射基体成为一个整体结构,热子组件和阴极发射基体距离仅为0.1mm‑0.2mm,大大提高热子组件的热利用率,降低热子组件和阴极基体间的温差,延长热子寿命,同时可使得阴极达到快速热启动;用于烧结热子的等间距排列的圆台孔设计成倒锯齿状,绝缘粉烧结熔化后能牢固的附着在圆台孔侧壁上,极大地避免发生热子绝缘层脱落现象,进而大大提高了阴极组件的可靠性。
  • 一种特种灯具用镍片-201320156726.5
  • 周林峰 - 江苏金泰科精密科技有限公司;江苏远航精密合金科技股份有限公司
  • 2013-04-01 - 2013-12-11 - H01J1/146
  • 一种特种灯具用镍片,它是由灯丝丝脚固定部分(8)和灯脚固定部分(9)构成的一体化成型的镍片,所述的灯丝丝脚固定部分(8)镍片的尺寸大于灯丝丝脚(5),灯脚固定部分(9)镍片的尺寸大于灯脚(7);灯丝丝脚固定部分(8)上对应于所固定的灯丝丝脚(5)底部的位置形成折弯的支撑面(2),用于支撑灯丝丝脚(5)的底部。本实用新型节约了金属镍,且镍片与灯丝丝脚焊接接触面积大,焊接牢固不脱焊。
  • 一种薄膜钪钨阴极及其制备方法-201110441209.8
  • 王萍;王舒墨;李季 - 中国电子科技集团公司第十二研究所
  • 2011-12-26 - 2012-06-27 - H01J1/146
  • 一种薄膜钪钨阴极及其制备方法,属于微波真空电子器件领域,该薄膜钪钨阴极包含阴极基体,基体下部是钼屏蔽筒,屏蔽筒内部为热子组件,阴极基体顶部表面为合成钪钨覆膜。所述薄膜钪钨阴极的制备方法,其操作步骤为阴极基体制备,阴极基体与钼支持筒进行装配,浸渍活性发射物质,阴极表面处理,直流溅射钪钨膜。该方法制备的阴极有利于提高电子发射能力和改善发射均匀性。
  • 一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法-200710118004.X
  • 阴生毅;张永清;张洪来;王宇 - 中国科学院电子学研究所
  • 2007-06-27 - 2008-12-31 - H01J1/146
  • 本发明一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法,涉及微波电真空器件制造技术。阴极三元合金膜,为钨铼锇三元合金膜。一种制备覆膜浸渍扩散阴极的方法,A.在浸渍发射材料之前,用表面溅射法在阴极表面先溅射沉积铼膜,再溅射沉积锇钨膜,接下来浸渍发射材料,利用发射材料的高温浸渍过程,实现阴极表面膜层的合金化;B.浸渍发射材料之后,利用钨铼锇三元合金靶,在阴极表面溅射沉积钨铼锇三元合金膜。用本发明的阴极三元合金膜制备的阴极,可使阴极发射电流密度成倍提高,加大了阴极发射能力,并可较容易地制备成各种规格并易于实现批量生产。本发明阴极可应用于各类微波电真空器件,也可在电视机的电子管以及电子显微镜中使用。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top