[发明专利]太阳能电池的制造方法、太阳能电池以及光伏组件在审
申请号: | 202310596432.2 | 申请日: | 2023-05-23 |
公开(公告)号: | CN116525719A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 张临安;金井升;张彼克;王超;段旺 | 申请(专利权)人: | 晶科能源(海宁)有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0288 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 314415 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池的制造方法、太阳能电池以及光伏组件,提供基底;形成位于基底背面的隧穿氧化层;形成第一半导体层,第一半导体层位于隧穿氧化层上;采用LPCVD工艺形成第二半导体层,第二半导体层位于第一半导体层上,第二半导体层中具有烷烃基团以及掺杂离子,掺杂离子为N型离子或者P型离子;进行退火处理,第二半导体层中的烷烃基团分解,部分氢原子从第二半导体层中溢出,使得第二半导体层中具有微孔结构;形成电极,电极位于第二半导体层远离基底的一侧,且至少与部分第二半导体层电接触。至少可以实现在提高电池背面的钝化性能的同时,提高电池背面膜层的致密性,且减少脱粉以及爆膜的问题。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 以及 组件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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