[发明专利]太阳能电池的制造方法、太阳能电池以及光伏组件在审

专利信息
申请号: 202310596432.2 申请日: 2023-05-23
公开(公告)号: CN116525719A 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 张临安;金井升;张彼克;王超;段旺 申请(专利权)人: 晶科能源(海宁)有限公司;浙江晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0288
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 314415 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池的制造方法、太阳能电池以及光伏组件,提供基底;形成位于基底背面的隧穿氧化层;形成第一半导体层,第一半导体层位于隧穿氧化层上;采用LPCVD工艺形成第二半导体层,第二半导体层位于第一半导体层上,第二半导体层中具有烷烃基团以及掺杂离子,掺杂离子为N型离子或者P型离子;进行退火处理,第二半导体层中的烷烃基团分解,部分氢原子从第二半导体层中溢出,使得第二半导体层中具有微孔结构;形成电极,电极位于第二半导体层远离基底的一侧,且至少与部分第二半导体层电接触。至少可以实现在提高电池背面的钝化性能的同时,提高电池背面膜层的致密性,且减少脱粉以及爆膜的问题。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法 以及 组件
【主权项】:
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