[发明专利]一种用于高深宽比硅通孔填实的方法及镀液在审
| 申请号： | 202310606505.1 | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116657202A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 于大全;黎科;夏启飞;王曼玉;钟毅 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D7/12;C23C28/02;C23C16/06;C23C16/455;C23C18/40;C23C18/18 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 游学明 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于封装转接板工艺技术领域，具体公开了一种用于高深宽比硅通孔填实的方法及镀液，其中用于高深宽比硅通孔填实的方法包括沉积Ru催化层：通过原子层沉积技术在样品表面沉积Ru催化层；化学镀铜种子层：将处理后的样品清洗后进行化学镀铜；电镀铜填充：对处理后的样品进行电镀，电镀结束后用水冲洗，吹干，制作切片。本发明的方法开发出可以实现在高深宽比硅盲孔形成致密铜钟子层的化镀铜配方以及无缺陷铜填实的电镀铜配方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高深 硅通孔填实 方法 | ||
【主权项】：
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