[发明专利]一种IGBT芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310616319.6 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116469917A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 江加丽;石文坤;冉龙玄;王智;莫宏康;赵冲冲 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪劲松 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区；漂移区的正面中部加工有元胞组，元胞组的端面通过正面电极覆盖，漂移区的边缘加工有P+ring区,P+ring区的端面通过依次堆叠有场氧化层、SIN钝化层、PI钝化层，所述漂移区的背面依次加工有场截止区、P+背集电区、背部电极。本发明芯片背面的高能质子H+会形成具有电活性的杂质，结合芯片正面的低掺杂的Pbase和多晶硅栅、边缘的P+ring区，在不影响芯片静态参数的情况下，能有效减少载流子寿命，降低反向关断时间，缩短拖尾电流时间，降低器件关断损耗，从而提高芯片的高频开关表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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