[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 202310641261.0 | 申请日： | 2023-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN116895691A | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 储金星;杨晶杰;周文杰 | 申请（专利权）人： | 海信家电集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人： | 张强 |
| 地址： | 528300 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制作方法，包括：基体，基体具有第一主面及与第一主面相反侧的第二主面；第一导电型的漂移层，设于第一主面和第二主面之间；第二导电型的阱区层，与漂移层相比设于第一主面侧；第一导电型的发射极层，选择性地设于阱区层的第一主面侧；基体设有从第一主面将阱区层和发射极层贯穿而达到漂移层的栅极沟槽；在栅极沟槽内隔着栅极绝缘膜配置有栅极电极和屏蔽电极，屏蔽电极与栅极电极相比位于第二主面侧；栅极绝缘膜的位于屏蔽电极与栅极电极之间部分的厚度不变。根据本发明实施例的半导体装置不仅能够形成双栅结构，以减小开关损耗，并且能够有效抑制屏蔽电极与栅极电极之间的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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