[发明专利]一种用于加速质子的高Q双spoke超导腔制备方法在审

专利信息
申请号: 202310672529.7 申请日: 2023-06-08
公开(公告)号: CN116546718A 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 潘卫民;周文中;贺斐思;葛锐;戴劲;米正辉;黄彤明;马强;王子晗;戴旭文;张占军;赵辉;郑晓冰 申请(专利权)人: 中国科学院高能物理研究所
主分类号: H05H7/20 分类号: H05H7/20;H05H7/00
代理公司: 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 代理人: 司立彬
地址: 100049 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于加速质子的高Q双spoke超导腔制备方法,其步骤包括:1)制备两个半片spoke柱,并将其焊接起来形成双spoke超导腔的左spoke柱;同理制备右spoke柱;2)采用两块高纯铌板制备外导体的两个半片,在每一外导体半片上分别铣出与左spoke柱基部匹配的孔,得到双spoke超导腔的左外导体;同理得到右外导体;3)将左、右spoke柱分别与左、右外导体焊接形成左、右spoke环;4)将左端盖和左spoke环焊接一起形成左半腔;5)将右spoke环和左半腔进行焊接形成双spoke环,将双spoke环和右端盖焊接,然后经过缓冲化学抛光和高压纯水冲洗后得到高Q双spoke超导腔。
搜索关键词: 一种 用于 加速 质子 spoke 超导 制备 方法
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