[发明专利]一种功率二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202310716753.1 | 申请日： | 2023-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN116936605A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 马昆旺;邹声斌;贺卫群;马野;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 谢子能 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体的制备方法，具体涉及一种功率二极管的制备方法。该制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底上依次生长缓冲层、GaN layer层、GaN层、AlGaN层、轻掺杂GaN层和重掺杂GaN层，得到外延片；S2：刻蚀使部分AlGaN层裸露，在重掺杂GaN层上制备阴极电极；在裸露的AlGaN层上制备阳极电极。采用该方法制备得到的功率二极管兼顾了水平结构的高导通和垂直结构的高击穿，一方面调整了电子的空间分布，实现水平方向和垂直方向的快速导通，另一方面有效利用了高质量GaN提高抗击穿能力，实现更广阔的应用场景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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