[发明专利]一种隔离槽刻蚀器及外延生长系统的运行方法在审
| 申请号： | 202310718205.2 | 申请日： | 2023-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN116721944A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 袁文军;汪万里;田惠文 | 申请（专利权）人： | 上海闻峻科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/762;H01L21/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201206 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于外延生长系统的隔离槽刻蚀器，包括一反应腔体，腔体中包括一基座和与基座相对的盖板，所述盖板上开设有多个竖直穿过盖板的通孔，盖板下表面包括弹性密封膜，所述弹性密封膜互相分离成多块，多块弹性密封膜之间包括气体扩散槽，所述多个通孔与所述气体扩散槽联通；一驱动装置可驱动所述盖板与待处理基片相向运动，使得弹性密封膜与所述待处理基片上表面互相紧贴；然后供应刻蚀气体进入反应腔体，穿过所述通孔到达气体扩散槽刻蚀待处理基片。本发明可以不需要光刻过程就能实现基片表面隔离槽的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 刻蚀 外延 生长 系统 运行 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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