[发明专利]一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命测量装置及方法在审
申请号: | 202310726693.1 | 申请日: | 2023-06-19 |
公开(公告)号: | CN116500072A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 刘福雁;曹兴忠;张红强;王宝义;王冕;于润升;王英杰;况鹏;张鹏;魏龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院高能物理研究所 |
主分类号: | G01N23/225 | 分类号: | G01N23/225;G01T1/36 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明 |
地址: | 100049 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命测量装置及方法,装置由正电子发射器、正电子探测器、伽马探测器组成;样品放置于正电子发射器和正电子探测器之间。正电子发射器包含放射源并负责对进入样品的正电子进行探测,正电子探测器对穿透样品的正电子进行探测。伽马探测器负责对正电子湮没后产生的0.511MeV伽马光子进行探测。本发明可突破对测量样品厚度的限制,适用于所有类型的正电子放射源,充分拓宽了实验条件;同时非接触测量功能可拓展正电子湮没寿命测量方法在特殊样品和特殊环境测量中的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 薄膜 样品 表征 正电子 湮没 寿命 测量 装置 方法 | ||
【主权项】:
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