[发明专利]一种电池结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310745006.0 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116632094A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 郭小飞;高芳丽;戴欣欣;柳冉冉 | 申请（专利权）人： | 滁州捷泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 合肥汇融专利代理有限公司 34141 | 代理人： | 王秀芳 |
| 地址： | 239236 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电池领域，具体涉及一种电池结构及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)在硅基片的正面沉积超薄氧化硅层和正减反层；(2)在超薄氧化硅层上生长低浓度的多晶硅层一，在多晶硅层一上生长高浓度的多晶硅层二；(3)在多晶硅层二上印刷电极一，在电极一上连接电极二，即得。本发明将与电极直接连接的部分进行高浓度硼掺杂，与遂穿层连接部分进行低浓度硼掺杂，在保证良好接触的同时，还能使得整体硼掺杂浓度降低，降低了蓝光吸收损耗与载流子表面再复合损耗，提高了光电转换效率；通过改善等离子化学气相沉积法工艺，得到的减反层的膜厚均匀，且反射率较小，增加了对光的吸收，从而可提高电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于滁州捷泰新能源科技有限公司，未经滁州捷泰新能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310745006.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
