[发明专利]一种深紫外发光二极管在审
申请号: | 202310754175.0 | 申请日: | 2023-06-25 |
公开(公告)号: | CN116845160A | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 岳金顺;张骏;陈圣昌;张毅 | 申请(专利权)人: | 湖北优炜芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/10;H01L33/06 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 姜婷 |
地址: | 436000 湖北省鄂州市葛店开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: |
本发明提供了一种深紫外发光二极管,包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型接触层、N型布拉格反射层、第一波导层、量子阱有源层、第二波导层、P型布拉格反射层以及P型接触层,其中,N型布拉格反射层为Al |
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搜索关键词: | 一种 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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