[发明专利]全碳透明光电器件及其制备方法在审
申请号: | 202310755226.1 | 申请日: | 2023-06-25 |
公开(公告)号: | CN116709793A | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 苏言杰;刘菁 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H10K30/65 | 分类号: | H10K30/65;H10K30/82;H10K85/20;H10K71/00;H10K71/12 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种全碳透明光电器件及其制备方法,包括透明导电衬底、GO薄膜介质层、半导体性SWCNT薄膜以及金属性SWCNT源漏电极;所述GO薄膜介质层设置在透明导电衬底上;所述半导体性SWCNT薄膜设置在GO薄膜介质层背离透明导电衬底的一面;所述金属性SWCNT源漏电极设置在半导体性SWCNT薄膜背离GO薄膜介质层的一面。本发明采用透明导电衬底,在可见光波段透光率高于80%,具有优越的透明性;其余功能结构均由碳纳米材料构成,创新性地采用GO薄膜代替传统金属氧化物作为介质层,碳纳米材料具有普遍性、无毒性、柔韧性和生物相容性,能够降低制备成本、扩大器件在仿生电子领域的应用场景。 | ||
搜索关键词: | 透明 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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