[发明专利]一种高硬度DLC真空镀膜设备及工艺在审
| 申请号： | 202310794567.X | 申请日： | 2023-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116926467A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋贵霞 | 申请（专利权）人： | 昆山英利悦电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/32 |
| 代理公司： | 合肥上博知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34188 | 代理人： | 张果果 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高硬度DLC真空镀膜设备及工艺，包括炉体，所述炉体的内部设有圆柱弧靶，所述圆柱弧靶电性连接有柱弧电源，所述圆柱弧靶的两侧设有圆柱阴极靶，所述圆柱阴极靶电性连接有中频电源，所述炉体的内部设有转架，所述转架电性连接有偏压电源，所述炉体的两侧内壁对称设有阳极层离子源，所述阳极层离子源电性连接有离子源电源。本方案使用阳极层离子源，通过闭合的磁阱、阴极和阳极之间的高电压以及正确的工作压力，气流通过磁阱从而产生等离子体射流，提高气体的离化率，在DLC镀膜工艺中，能够显著增加碳氢离子的离子率，提高了碳氢离子的密度，提高镀膜涂层的致密性及结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硬度 dlc 真空镀膜 设备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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