[发明专利]一种NPN型数字晶体管芯片结构的制造方法在审
| 申请号： | 202310802767.5 | 申请日： | 2023-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN116721919A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;王金富;许柏松;唐振;陈烨;邱健繁 | 申请（专利权）人： | 江苏新顺微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/266;H01L29/73 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 214431 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种NPN型数字晶体管芯片结构的制造方法，其包括如下步骤：选取一N型衬底，形成N型外延层，生长一层二氧化硅氧化层；二氧化硅氧化层上面再次匀上一定厚度的光刻胶，通过光刻掩膜版曝光后开出发射区窗口，同时带胶进行发射区磷注入工艺；形成P型基区；形成在上表面的二氧化硅氧化层；通过光刻掩膜版曝光后开出发射区窗口，同时带胶进行发射区磷注入工艺。通过加入发射区带胶磷注入的方式，以光刻胶作为掩蔽层，发射区高浓度磷离子注入时候绝大部分磷离子都打入光刻胶内，能有效阻止非发射区部分磷离子进入氧化层，避免表层氧化层中出现高浓度磷杂质引起的表层多晶硅介质层在氮气退火时候产生反型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 npn 数字 晶体管 芯片 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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