[发明专利]改善内量子效率的发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310815336.2 | 申请日： | 2023-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN116936699A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;汪洋;黄彪彪 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种改善内量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括发光二极管包括层叠的衬底、n型层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层；所述电子阻挡层包括层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，所述第一电子阻挡层的Al组分含量高于所述第三电子阻挡层的Al组分含量。本公开实施例能降低极化效应，实现抑制电子泄漏和提高空穴注入的目的，提升内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 量子 效率 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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