[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310815417.2 | 申请日： | 2023-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN116960006A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈军;黄铭辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供初始半导体结构，包括衬底、介质层以及位于介质层内的多个接触垫，衬底包括目标区域和伪图案区域，多个接触垫在衬底上的正投影位于目标区域；对介质层进行平坦化处理；在介质层上形成绝缘层，绝缘层包括多个第一开口，各第一开口分别露出各接触垫；在各接触垫上对应形成第一金属凸块，并在绝缘层上形成多个第二金属凸块，多个第二金属凸块在衬底上的正投影位于伪图案区域，第一金属凸块与第二金属凸块的顶面齐平。通过在半导体结构上形成平坦化的介质层以及绝缘层，以减小不同区域内金属凸块之间的高度差，提高了不同结构互联的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
