[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 202310815426.1 | 申请日: | 2023-07-05 |
公开(公告)号: | CN116936693A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 肖和平;任关涛;杨永杰;刘康 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/36 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层;在所述第二半导体层远离所述发光层的表面键合第二衬底,并去除所述第一衬底;制作贯穿所述第一半导体层、所述发光层并延伸至所述第二半导体层的台阶结构;制作覆盖所述台阶结构和所述第一半导体层表面的氧化层,所述氧化层具有连通所述第一半导体层的表面的第一通孔和连通所述台阶结构的台阶面的第二通孔;在高温环境下抽真空,以使腔内含氧量低于阈值;在所述第一通孔处制作第一电极,在所述第二通孔处制作第二电极。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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