[发明专利]一种基于硫化镉纳米线阵列/MXene纳米片异质结的光电探测器在审
| 申请号： | 202310837196.9 | 申请日： | 2023-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN116825877A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李国华;陶金龙;侯蕊;黄辉;夏超;李晨曦;周祥;黄志祥 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18;B82Y20/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于硫化镉纳米线阵列/MXene纳米片异质结的光电探测器，是以镉片为基底，在镉片上生长CdS纳米线阵列作为电子传输层，在CdS纳米线阵列上设置MXene纳米片作为光吸收体。本发明的光电探测器具有制作简便、响应度高、探测率高、外量子效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硫化 纳米 阵列 mxene 片异质结 光电 探测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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