[发明专利]一种调试片体制作方法、调试片体及调试方法在审
| 申请号： | 202310851901.0 | 申请日： | 2023-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN116959957A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李业;姚宇航;刘顺;王美;张世娟;韩天;葛建良 | 申请（专利权）人： | 无锡奥特维科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;H01L21/67;H01L21/68;H01L21/677;G01B11/24;G01B11/02;G01B11/26 |
| 代理公司： | 无锡三合知识产权代理事务所(普通合伙) 32602 | 代理人： | 徐鹏飞;赵庆华 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种调试片体制作方法、调试片体及调试方法，该调试片体制作方法包括：准备与待检测硅片的外观尺寸相同的片体；在片体上制作无效区域，获得调试片体，无效区域的亮度与片体上有效区域的亮度不同。采用本申请的制作方法所制作的调试片体对3D检测机构进行调试，相比由人工肉眼通过硅片直接试跑，可以获取较为准确的调试片体的偏移角度和/或偏移量，能够大幅提高3D检测所需要的输送精度，降低了硅片3D检测结果的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调试 体制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡奥特维科技股份有限公司，未经无锡奥特维科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310851901.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于TPE-LSTM模型预测低渗透油井产能的方法
- 下一篇：一种多功能笔
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
