[发明专利]一种下部电极半再生生产工艺在审
| 申请号： | 202310852341.0 | 申请日： | 2023-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN116936315A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;韦孟德;朱应高 | 申请（专利权）人： | 安徽高芯众科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 247100 安徽省池州市直*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种下部电极半再生生产工艺，涉及显示技术领域。半再生生产工艺包括以下流程：将回收来的下部电极进行拆卸，并检查受损情况；将受损的绝缘层进行剥离，漏出电极层，并将剩余部分清洗、烘干；对电极背面和侧面进行遮蔽；对电极表面进行喷砂处理，增加电极表面的粗糙度；在喷砂后的电极表面涂覆一层绝缘材料，绝缘层的厚度为500‑800μm；采用封孔剂对绝缘层进行封孔处理，并进行加热固化；除去遮蔽材料，将封孔后的绝缘层表面进行研磨，使绝缘层表面平整；在绝缘层表面进行Emboss加工，形成Emboss涂层；将修复好的下部电极真空烘干，得到半再生下部电极。本申请提供的半再生工艺可以有效恢复下部电极的性能和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 下部 电极 再生 生产工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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