[发明专利]单晶硅融化控制方法、装置、设备及存储介质在审
| 申请号： | 202310857131.0 | 申请日： | 2023-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN116926659A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 曹建伟;傅林坚;刘华;文灿华 | 申请（专利权）人： | 浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/14;C30B29/06;G06V20/52;G06V10/26;G06V20/70;G06V10/80;G06V10/764;G06V10/82;G06N3/0464 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 312399 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种单晶硅融化控制方法、装置、设备及介质。在本公开的一些实施例中，采集单晶硅在单晶炉内融化过程中至少一个旋转周期内的多张图像；将每张图像输入已经训练完成的语义分割模型，得到每张图像中像素的像素类型，通过语义分割模型对图像中的像素进行自动分类；根据多张图像中像素的像素类型，自动确定单晶硅的目标固液比值，使用语义分割模型，基于像素的分割计算，比传统轮廓提取准确率更高，固液比计算更加准确；根据单晶硅的目标固液比值，进行功率控制操作，相比采用人工进行功率控制，降低人力成本，提高功率控制的准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 融化 控制 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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