[发明专利]基于多孔陶瓷的真空吸附型球面弯曲分析晶体制作方法在审
| 申请号： | 202310880564.8 | 申请日： | 2023-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN116929876A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郭志英;钱海杰;韩庆夫;田野;徐伟;贾全杰;陈栋梁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/2202;G01N23/20008 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100049 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于多孔陶瓷的真空吸附型球面弯曲分析晶体制作方法，其步骤包括：1)制备平面像素型晶体；2)选取或者制备一壳体，所述壳体内具有一通光结构；所述通光结构内依次放入所述平面像素型晶体、凹面多孔陶瓷基板、抽气底板并利用固定环进行预紧；所述凹面多孔陶瓷基板的凹面朝向所述平面像素型晶体；所述平面像素型晶体的玻璃衬底与所述通光结构的底部密封连接，所述抽气底板的侧面与所述通光结构的侧壁密封连接；3)将所述抽气底板上的抽气口与真空泵连接，进行抽气，使得所述平面像素型晶体弯曲并贴合在所述凹面多孔陶瓷基板上，得到球面弯曲分析晶体。本发明实现了50meV的高能量分辨率分析晶体制作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多孔 陶瓷 真空 吸附 球面 弯曲 分析 晶体 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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