[发明专利]一种逆导型IGBT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310895112.7 | 申请日： | 2023-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN116960169A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 徐涛 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201207 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种逆导型IGBT器件结构及其制备方法，调节注入层位于逆导型IGBT器件结构的漂移区上，第一导电类型的体区位于调节注入层上；多个所述栅结构沿水平方向间隔设置于体区中并向上延伸至体区外，栅结构两侧均设置有发射区；每个栅结构上设置有介电阻隔层；发射极层位于介电阻隔层上并填充发射区之间的空隙。本发明通过在逆导型IGBT的体区下侧注入氢离子，引入缺陷复合中心，控制局部区域的少子寿命，降低快恢复二极管的反向恢复电荷，减小反向恢复损耗；同时通过注入氢离子产生寄生的浅热施主杂质，在IGBT内部形成载流子存储层，改善空穴的浓度分布，降低饱和压降，有利于驱动负载并降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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