[发明专利]一种电离层总电子含量预测方法、系统、电子设备及介质在审
| 申请号： | 202310907810.4 | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116933083A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 汤俊;胡嘉诚;樊慈航;张伟;许浪 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | G06F18/214 | 分类号： | G06F18/214;G06N7/01 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王爱涛 |
| 地址： | 650504 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种电离层总电子含量预测方法、系统、电子设备及介质，涉及电离层总电子含量预测领域，方法包括：首先获取待预测站点t时刻的多源观测数据，利用电离层总电子含量预测模型，对待预测站点t时刻的多源观测数据进行数据同化，得到电离层总电子含量真值。其中，电离层总电子含量预测模型是利用训练数据集对层状贝叶斯网络进行训练得到的。本发明提高了电离层总电子含量预测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电离层 电子 含量 预测 方法 系统 电子设备 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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