[发明专利]一种适用于观察裂纹扩展路径的断口处EBSD样品的制备方法在审
| 申请号： | 202310918199.5 | 申请日： | 2023-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116929879A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘国政;赵永庆;贾蔚菊;赵秦阳;高广睿;周伟;毛成亮;呼丹;王建军 | 申请（专利权）人： | 东北大学;西北有色金属研究院;长安大学;西安赛福斯材料防护有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;B23P15/00 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 马小燕 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于观察裂纹扩展路径的断口处EBSD样品的制备方法，该方法的具体过程为：首先将需观察裂纹扩展路径的断口样品进行切割得到断口切割块，然后采用低目数粗砂纸对断口切割块的断口侧面进行粗磨，并采用无水乙醇清洗后烘干，再将速干型502胶水均匀涂抹在断口正面形成绝缘保护层，采用高目数细砂纸对具有绝缘保护层的断口切割块的断口侧面进行细磨，经电解抛光、清洗，获得断口处EBSD样品。本发明通过在断口正面从形成绝缘保护层，最大程度保留了断口处裂纹扩展路径的原始形貌，能够获得断面清晰、裂纹扩展路径明显的EBSD样品，适用于观察断口处裂纹扩展路径，探究疲劳裂纹扩展规律。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 观察 裂纹 扩展 路径 断口 ebsd 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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