[发明专利]半导体器件及其制备方法、发光基板和显示装置在审
申请号: | 202310921629.9 | 申请日: | 2023-07-25 |
公开(公告)号: | CN116705826A | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 刘伟星;卢美荣;彭锦涛;王新星;张春芳;滕万鹏;郭凯;徐智强;闫雨薇;王欢欢 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/07;H01L33/36;H01L33/00;H01L33/02;G09F9/33 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李莎 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法、发光基板和显示装置,通过层叠设置在衬底上的第二电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第三电极形成第一功能器件,通过设置在衬底上的第一电极,以及层叠设置在衬底上的第二电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第三电极形成第二功能器件,从而减少驱动单元的电路面积,提高空间利用率。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制备 方法 发光 显示装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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