[发明专利]一种串行EEPROM存储器验证系统及验证方法在审

专利信息
申请号: 202310923418.9 申请日: 2023-07-25
公开(公告)号: CN116935932A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 刘强;赵五喜;黄运隆;张杨钧;高愿 申请(专利权)人: 西安太乙电子有限公司;北京控制与电子技术研究所
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/26;G11C16/34
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李鹏威
地址: 710075*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种串行EEPROM存储器验证系统及验证方法,包括:通过分析待测器件的应用场景和器件特性预设上位机流程控制程序;并通过电装配试验验证待测器件装联适应性;将主控区的待测器件输出信息传至待测区的待测器件内;对待测器件写入读出功能及电源电压范围验证功能性能测试完整性;对装配好的主控区和待测区进行器件环境适应性验证;对验证数据和结论进行分析,得到待测器件成熟度等级和可用度等级;本发明针对性的验证评价器件板级电装联性能和板级的功能、性能及器件在板级工作状态下的热学、力学环境适应性能,更接近于实际应用工况,更具有针对性,能有效的提前暴露器件在板应用的薄弱环节和异常性能,有利于促进器件的推广和应用。
搜索关键词: 一种 串行 eeprom 存储器 验证 系统 方法
【主权项】:
暂无信息
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