[发明专利]基于高阶奇异点的传感器及其制备方法在审
申请号: | 202310923689.4 | 申请日: | 2023-07-26 |
公开(公告)号: | CN116936655A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 史弘康;陈泽;张晓波;李磊;方舟 | 申请(专利权)人: | 希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/103;H01L31/109;H01L31/18;G02B6/12;G02B6/24;G02B6/42 |
代理公司: | 南京擎天知识产权代理事务所(普通合伙) 32465 | 代理人: | 涂春春 |
地址: | 211800 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及光电材料与器件技术领域,尤其涉及一种基于高阶奇异点的传感器及其制备方法,传感器包括光学微腔、介质波导和光电探测器;光学微腔的数量若干且结构相同;每个光学微腔到介质波导的距离相等,相邻光学微腔之间的距离相等;光学微腔被激光器发出的圆偏振光激发后产生相同的手性模式,光学微腔间通过介质波导发生单向耦合,在系统内产生用于对扰动进行反馈的高阶奇异点,奇异点的阶数仅由相同光学微腔的数量决定;光电探测器设于介质波导的输出端用于接收光谱。本发明基于高阶奇异点对于微小扰动进行有效反馈,增加传感器的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 基于 奇异 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的