[发明专利]磁孤子产生装置以及产生方法在审
| 申请号： | 202310944459.6 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116884728A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 江万军;赵乐;赵孟琦 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01F10/10 | 分类号： | H01F10/10;H01F10/00;H01F10/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王晓燕 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种磁孤子产生装置以及产生方法。磁孤子产生装置包括：基底层，该基底层具有凹坑；磁性膜堆，设置在所述基底层上并且至少包括磁性层，该磁性层在对应于所述凹坑的位置发生凹陷；以及磁场施加件，向所述磁性膜堆施加磁场，所述凹坑的深度方向为第一方向，所述磁场的方向平行于所述第一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 孤子 产生 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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