[发明专利]环绕栅沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202310971611.X | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116682860B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张腾;魏则鲁;黄润华;柏松;杨勇 | 申请（专利权）人： | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 杨雷 |
| 地址： | 211111 江苏省南京市江宁经济技术*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种环绕栅沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括在第二导电类型沟道层上沿着栅条方向周期性分布，贯穿第二导电类型沟道层并接触沟槽的第二导电类型沟道层刻蚀窗口，位于沟槽内表面的第一栅介质层、位于第二导电类型沟道层的上表面的第二栅介质层和位于第二导电类型沟道层刻蚀窗口内壁上的第三栅介质层；填充沟槽内的第一栅电极、覆盖部分第二栅介质层上表面的第二栅电极和填充第二导电类型沟道层刻蚀窗口的第三栅电极；本发明采用环绕栅沟道设计，利用上下双层栅电极实现超薄沟道的栅控导通，可获得超高的沟道迁移率，极大程度降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 环绕 沟道 碳化硅 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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