[发明专利]一种基于交指电容结构的低损耗宽带1-bit相位可重构超表面单元在审
| 申请号： | 202310975989.7 | 申请日： | 2023-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN116759820A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 田江浩;周禹龙;张芷昀;杨欢欢;李桐;吉地辽日;郭泽旭;曹祥玉 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军空军工程大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710051 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提出一种基于交指电容结构的低损耗宽带1‑bit相位可重构超表面单元，自上而下共包括5层结构：顶层谐振结构、第二层微波介质基板、第三层金属地结构、第四层辅助介质基板，和第五层直流偏置电路层；金属通孔H |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 电容 结构 损耗 宽带 bit 相位 可重构超 表面 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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