[发明专利]中继环碳化钽镀膜装置和方法有效
申请号: | 202310994198.9 | 申请日: | 2023-08-09 |
公开(公告)号: | CN116695089B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 袁刚俊;苏兆鸣 | 申请(专利权)人: | 通威微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C30B23/00;C30B29/36 |
代理公司: | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人: | 梁晓婷 |
地址: | 610299 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜装置和方法,涉及长晶设备制造技术领域。装置包括真空腔体、真空抽气系统、石墨加热器和石墨桶;真空抽气系统连通到真空腔体上,真空抽气系统用于控制真空腔体内的真空度,石墨加热器安装在真空腔体的内部,石墨桶设置在石墨加热器的内部,石墨桶内的底部用于盛装钽颗粒,石墨桶内的顶部用于放置中继环;石墨加热器用于对石墨桶加热,使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。装置和方法能够提高镀膜效率,而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。 | ||
搜索关键词: | 中继 碳化 镀膜 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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