[发明专利]全介质X字形凹槽超表面陷光结构GaAs基薄膜电池及其制备方法在审
申请号: | 202310994990.4 | 申请日: | 2023-08-08 |
公开(公告)号: | CN116936657A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 毛旭;魏博;余钢;杨富华;王晓东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0693;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开是一种全介质X字形凹槽超表面陷光结构的GaAs基薄膜电池及其制备方法。该全介质X字形凹槽超表面陷光结构的GaAs基薄膜电池包括:GaAs衬底,用于起支撑作用;GaAs活性层,形成于所述GaAs衬底上,用于作为薄膜电池光生伏特效应发生区的PN结区域;X字形凹槽阵列超表面,采用陷光结构,通过刻蚀所述GaAs活性层的表面而形成,用于减小表面光的反射率,增加光在薄膜电池内部的光程,从而增加电池的短路电流密度;背面电极和正面电极,其中背面电极作为薄膜电池的一端电极,正面电极为薄膜电池的另一端电极。利用本公开,解决了现有在制作太阳能薄膜电池时吸光效率低和超表面中阵列结构的工艺一致性难以保证的问题。 | ||
搜索关键词: | 介质 字形 凹槽 表面 结构 gaas 薄膜 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的