[发明专利]一种波长可调的半导体近红外光电探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310997230.9 申请日: 2023-08-09
公开(公告)号: CN116759483A 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 张栩朝;张勇;韩筱 申请(专利权)人: 苏州元烨微电子科技有限公司
主分类号: H01L31/109 分类号: H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 苏州科凡知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32729 代理人: 张莉
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种波长可调的半导体近红外光电探测器及其制备方法,通过机械剥离法得到不同厚度的TMDCs层,将合适厚度的TMDCs转移到Si/SiO2衬底上;通过机械剥离法将InSe层转移至PDMS上,通过光学显微镜观察调制位置和角度,缓慢降低使InSe层与TMDCs层接触,完成异质结的制作;利用EBL光刻定义电极图案,采用电子束蒸发或热蒸发制备两个金属电极,得到波长可调的半导体近红外光电探测器。本发明可以通过选取不同厚度的TMDCs层实现能带可调的特性,本发明利用该特点可以实现多个不同波长的红外光探测。
搜索关键词: 一种 波长 可调 半导体 红外 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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