[发明专利]一种LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202311051332.8 | 申请日： | 2023-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN116864591A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈帅城;杨德佑;张佳宏;叶玲娜;黄俊杰 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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