[发明专利]一种IGBT器件及其制备方法、电子装置在审
申请号: | 202311051566.2 | 申请日: | 2023-08-18 |
公开(公告)号: | CN116960170A | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 戴银;任文珍 | 申请(专利权)人: | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
代理公司: | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人: | 翟海青 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种IGBT器件及其制备方法、电子装置,该器件包括:衬底,衬底包括第一区域与第二区域;基极区,位于第一区域与第二区域内,且自衬底的第一表面延伸至衬底中;栅极结构,位于第二区域内,且自衬底的第一表面延伸至衬底中并贯穿第二区域内的基极区;源区,位于第二区域内的基极区内,且自衬底的第一表面延伸至衬底中;存储区,位于第二区域内的基极区的下方;第一注入区,位于第二区域内,且自衬底的第二表面延伸至衬底内。本发明的IGBT器件及其制备方法、电子装置,第一区域内无栅极结构与存储区,能够加快反向恢复时的载流子抽取速度,进而减小反向恢复损耗,改善反向恢复特性,进而提高器件的性能,拓宽了应用范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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